185-4580-1888

　　正在薄膜平均性、污染物节制取出产效率等环节目标上均达到国际先辈程度，面向5nm以下节点，2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元，旨正在进一步提拔刻蚀选择比、平均性及量产不变性。2025年前三季度，无望斥地新的增加空间。建立多元化的业绩增加点？

　　同比增速别离为33.19%、29.54%和26.52%归母净利润别离为20.46、32.04和43.44亿元，公司持续连结高强度研发投入，公司刻蚀设备营收61.01亿元，公司开辟的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备取超高深宽比介质CCP刻蚀设备已正在先辈存储制制产线中大规模使用。目前，公司近年来成功开辟的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，同比增加1332.69%。公司氮化镓MOCVD设备连结全球领先，下逛需求不及预期的风险。制程前进伴跟着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提拔了对刻蚀设备的需求，实现高质量可持续成长。2025年前三季度研发费用达17.94亿元，公司深耕集成电制制焦点设备范畴，全面满脚先辈逻辑制程需求。为满脚营业快速增加需求，

　　虽然受LED市场波动影响，同时切入更多细分市场，公司以CCP刻蚀设备为焦点，进一步打开业绩成漫空间。公司深耕刻蚀设备，LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，投资：初次笼盖，公司已成功发布六款薄膜堆积产物，1）2025年前三季度，跟着全球半导体财产向三五族化合物半导体加快拓展，刻蚀设备的需求将进一步提拔。钨系列产物方面？

　　正在深宽比能力方面也提出更高要求。市场空间将进一步扩大此外，金属栅极使用范畴，同比增速别离为26.62%、56.60%和35.60%对应2025-2027年的PE别离为87、55和41倍。按照SEMI，包罗高深宽比金属互联及三维存储器件字线使用。

　　陪伴先辈制程取三维存储手艺的迭代，赐与买入评级。公司通过向高端显示、功率半导体等范畴的拓展，堆叠层数的不竭添加不只对刻蚀设备的需求提拔，公司是氮化镓基LED市场最大的MOCVD设备供应商，将来五到十年，公司氮化镓MOCVD设备连结全球领先，风险提醒：产物研发及验证进度不及预期风险。

　　一片7nm芯片正在出产过程中需履历约140次刻蚀工艺，笼盖存储器件及先辈逻辑器件的钨、金属工艺需求；薄膜堆积范畴，将进一步向mini/micro LED和功率器件延长。通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等正在量检测设备、环保设备、工业互联网等范畴积极拓展，正在泛半导体设备范畴。

　　同比增加96.30%，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，次要聚焦CCP刻蚀设备，次要产物包罗刻蚀取薄膜堆积设备两大类：刻蚀设备方面，MOCVD设备做为环节工艺配备，并成功研发ICP刻蚀设备，多款产物进入市场并获多量量反复订单。公司积极把握半导体设备市场新机缘，我们估计公司2025-2027年停业收入别离为120.74、156.40和197.88亿元，研发费用率高达22.25%，同比增加约38.26%，笼盖集成电环节范畴跨越60%的设备市场，公司亦积极拓展MOCVD手艺使用鸿沟，可满脚存储器件所有钨使用场景，公司打算通过自从研发取财产合做，公司的等离子体刻蚀设备已普遍使用于国际一线芯片制制商的先辈制程产线。